Synthesis and Characterization of V-Doped β-In2S3 Thin Films on FTO Substrates
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
Al Doped ZnO Thin Films; Preparation and Characterization
ZnO is a promising material suitable for variety of novel electronic applications including sensors, transistors, and solar cells. Intrinsic ZnO film has inferiority in terms of electronic properties, which has prompted researches and investigations on doped ZnO films in order to improve its electronic properties. In this work, aluminum (Al) doped ZnO (AZO) with various concentrations and undop...
متن کاملSynthesis and Characterization of Cu Doped TiO2 Thin Films to Protect Agriculturally Beneficial Rhizobium and Phosphobacteria from UV Light
Optimization of continuous synthesis of high purity carbon nanotubes (CNTs) using chemical vapour deposition (CVD) method was studied experimentally and theoretically. Iron pentacarbonyl (Fe(CO)5), acetylene (C2H...
متن کاملarchitecture and engineering of nanoscale sculptured thin films and determination of their properties
چکیده ندارد.
15 صفحه اولsynthesis and characterization of some macrocyclic schiff bases
ماکروسیکلهای شیف باز از اهمیت زیادی در شیمی آلی و دارویی برخوردار می باشند. این ماکروسیکلها با دارابودن گروه های مناسب در مکانهای مناسب می توانند فلزاتی مثل مس، نیکل و ... را در حفره های خود به دام انداخته، کمپلکسهای پایدار تولید نمایند. در این پایان نامه ابتدا یک دی آلدئید آروماتیک از گلیسیرین تهیه می شود و در مرحله بعدی واکنش با دی آمینهای آروماتیک و یا آلیفاتیک در رقتهای بسیار زیاد منجر به ت...
15 صفحه اولCharacterization of Pure and Antimony Doped SnO2 Thin Films Prepared by the Sol-Gel Technique
Pure and antimony doped SnO2 thin films have been prepared by the sol-gel dip coating technique on glass substrate using starting material SnCl2.2H2O as a host and SbCl3 as a dopant. Our experimental results revealed that, the quality of the coated films on the glass depends on process parameters. The effect of annealing temperature, dipping numbe...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: The Journal of Physical Chemistry C
سال: 2016
ISSN: 1932-7447,1932-7455
DOI: 10.1021/acs.jpcc.6b09601